HfGe<sub>x</sub> ショットキー・ソース/ドレイン Ge p-MOSFETの作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 16a-A1-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3034

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

HfGe_x ショットキー・ソース/ドレイン Ge p-MOSFETの作製

*山本圭介, 佐田隆宏, 山中武, 坂本敬太, 小島秀太, 楊海貴, 王冬, 中島寛

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キーワード: 16a-A1-5, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, Ge, MOSFET, Schottky contact

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