高配向鉄シリサイド薄膜作製のための基板スパッタ処理条件の探索

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 16p-E1-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3138

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

高配向鉄シリサイド薄膜作製のための基板スパッタ処理条件の探索

*山口憲司, 浜本悟, 北條喜一

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キーワード: 16p-E1-9, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 探索的材料物性, シリサイド半導体, 環境半導体, 表面処理

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