促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの高温特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 17p-E3-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3260

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの高温特性

*前田就彦, 廣木正伸, 佐々木智, 原田裕一

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キーワード: 17p-E3-3, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, transistor, トランジスタ, 半導体

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