応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第59回春季応用物理学関係連合講演会
セッションID: 17p-E3-4
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

i-GaN薄層挿入によるp-InGaN cap Normally-off型AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク電流の低減
*山田 博之, 岸本 茂, 水谷 孝
著者情報
キーワード: 17p-E3-4, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, InGaN cap AlGaN/GaN HEMT, ゲートリーク電流, ノーマリオフ
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