応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
セッションID: 17p-E3-7
会議情報

Characterization of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure
*Wang QingpengTamai KentaroMiyashita TakahiroMotoyama Shin-ichiWang DejunAo Jin-PingOhno Yasuo
著者情報
キーワード: 17p-E3-7, Field-effect Moblity, GaN, MOSFET
会議録・要旨集 フリー

詳細
記事の1ページ目
著者関連情報
© 2012 The Japan Society of Applied Physics
前の記事 次の記事
feedback
Top