Hを含むプラズマによるSi基板ダメージ構造とその回復プロセスについての検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第73回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 12a-E1-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1691

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

Hを含むプラズマによるSi基板ダメージ構造とその回復プロセスについての検討

中久保義則, 松田朝彦, 深沢正永, 鷹尾祥典, *江利口浩二, 辰已哲也, 斧高一

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キーワード: 12a-E1-10, プラズマエレクトロニクス, プラズマエッチング, MOSFET, アニール, プラズマダメージ

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