アモルファスSi層を介した金属とGeのコンタクト特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第73回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 13a-F5-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2636

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

アモルファスSi層を介した金属とGeのコンタクト特性

*花房宏明, 酒池耕平, 小林義崇, 中村将悟, 林将平, 村上秀樹, 東清一郎

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キーワード: 13a-F5-11, 半導体A（シリコン）, 基礎物性・評価, a-Si, Ge, オーミックコンタクト

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