応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
セッションID: 13p-G1-12
会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

Annealing effect of InAs/Sb:GaAs quantum dots grown on germanium-on-insulator-on-silicon (GeOI) substrate by MOCVD
*Rajesh Mohan, Jun Tatebayashi, Masao Nishioka, Yasuhiko Arakawa
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キーワード: 13p-G1-12, JSAP-OSA Symposia, Opto-electronics
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© 2012 The Japan Society of Applied Physics
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