Si基板上GaNにおけるAlGaN/AlN中間層による貫通転位の低減

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第60回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 27p-G21-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3126

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

Si基板上GaNにおけるAlGaN/AlN中間層による貫通転位の低減

*吉田学史, 彦坂年輝, 杉山直治, 布上真也

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キーワード: 27p-G21-7, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 窒化物半導体，GaN，Si基板，転位密度

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