Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiC MOS界面における伝導帯端近傍の界面特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第60回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 28a-G22-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3278

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

Al₂O₃/SiC MOS界面における伝導帯端近傍の界面特性

*田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

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キーワード: 28a-G22-11, 結晶工学, IV族系化合物, Interface trap, SiC, Slow trap

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