SiC-MOSFETのV<sub>TH</sub> instability評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第60回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 28a-G22-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3279

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

SiC-MOSFETのV_TH instability評価

*先崎純寿, 下里淳, 児島一聡, 原田信介, 有吉恵子, 小島貴仁, 田中保宣, 奥村元

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キーワード: 28a-G22-12, 結晶工学, IV族系化合物, パワーデバイス, 信頼性

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© 2013 公益社団法人応用物理学会

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