Impacts of hydrogen annealing induced mobile ions on thermal SiO2/SiC interface property

The 60th JSAP Spring Meeting 2013

セッションID: 28p-G22-2

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

Impacts of hydrogen annealing induced mobile ions on thermal SiO₂/SiC interface property

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キーワード: 28p-G22-2, mobile ion, MOS, SiC

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