応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第60回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 28p-G19-17
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

バイアス電圧印加PLD法により作製したn-ZnO/p-Siヘテロ接合の発光特性
*瀬野 祐樹, 小宮山 崇夫, 長南 安紀, 山口 博之, 青山 隆
著者情報
キーワード: 28p-G19-17, 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, PLD法, ZnO, エレクトロルミネッセンス
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