Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ゲート絶縁膜を利用した水素終端ダイヤモンドMOSFETの耐電圧特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18p-D1-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2145

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

Al₂O₃ゲート絶縁膜を利用した水素終端ダイヤモンドMOSFETの耐電圧特性

*山田哲也, 成尾智也, 坪井秀俊, 許德琛, 大長央, 斎藤達也, 車一宏, 平岩篤, 川原田洋

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キーワード: 18p-D1-5, 薄膜・表面, カーボン系薄膜, 耐圧, ダイヤモンド, MOSFET

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