完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつきの低減

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-C8-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3586

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつきの低減

*水谷朋子, 山本芳樹, 槇山秀樹, 篠原博文, 岩松俊明, 尾田秀一, 杉井信之, 平本俊郎

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キーワード: 19a-C8-9, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, SOTB, SRAM, ばらつき

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