Drain Induced Barrier Lowering (DIBL)のドレイン電圧依存性の解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-C8-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3588

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

Drain Induced Barrier Lowering (DIBL)のドレイン電圧依存性の解析

*長尾光晋, 水谷朋子, 平本俊郎

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キーワード: 19a-C8-11, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, ばらつき

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