応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第74回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 20a-C8-8
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

TiNメタルゲートとポリシリコンゲートを用いたチャージトラップ型FinFETフラッシュメモリ電気特性の比較評価
*柳 永勛, 松川 貴, 遠藤 和彦, 大内 真一, 塚田 順一, 山内 洋美, 石川 由紀, 水林 亘, 森田 行則, 右田 真司, 太田 裕之, 昌原 明植
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キーワード: 20a-C8-8, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, フラッシュメモリ
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© 2013 公益社団法人 応用物理学会
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