電気化学的手法と裏面光照射によるGaN多孔質ナノ構造の形成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19p-D7-13

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3749

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

電気化学的手法と裏面光照射によるGaN多孔質ナノ構造の形成

*渡部晃生, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友

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キーワード: 19p-D7-13, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 電子デバイス・プロセス技術, 多孔質ナノ構造

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