AlGaN/GaN系HEMTにおけるコンタクト特性のAlGaN層厚依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20p-D7-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3768

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

AlGaN/GaN系HEMTにおけるコンタクト特性のAlGaN層厚依存性

*武井優典, 神谷真行, 寺山一真, 米澤宏昭, 齋藤渉, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋

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キーワード: 20p-D7-4, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 電子デバイス・プロセス技術, GaN, エッチング, コンタクト

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