ショットキーゲート材料によるAlGaN/GaNの容量電圧特性への影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20p-D7-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3769

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

ショットキーゲート材料によるAlGaN/GaNの容量電圧特性への影響

*宗清修, 川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 若林整, 岩井洋

著者情報

キーワード: 20p-D7-5, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 電子デバイス・プロセス技術, AlGaN/GaN, ショットキーゲート材料

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2013 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top