応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
The 61st JSAP Spring Meeting 2014
セッションID: 19p-E8-6
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Analysis of Degradation Mechanism on Bottom Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Siloxane Passivation Layer
*Chaiyanan KulchaisitYasuaki IshikawaYoshihiro UeokaBermundo Juan PaoloMasahiro HoritaYukiharu Uraoka
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© 2014 The Japan Society of Applied Physics
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