PE-ALD法で作製したAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19p-E8-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1311

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

PE-ALD法で作製したAl₂O₃絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性

*栗島一徳, 生田目俊秀, 清水麻希, 相川慎也, 塚越一仁, 大井暁彦, 知京豊裕, 小椋厚志

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キーワード: 19p-E8-7, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, IGZO

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