Tunnel FETの伝達特性におけるドレイン電圧の影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19a-F12-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2863

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

Tunnel FETの伝達特性におけるドレイン電圧の影響

*福田浩一, 森貴洋, 水林亘, 田邊顕人, 昌原明植, 安田哲二, 右田真司, 太田裕之, 森田行則

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キーワード: 19a-F12-10, 半導体A（シリコン）, デバイス/集積化技術, Tunnel FET, Device Simulation

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