合成電界効果によるフィン型トンネルFETの性能向上

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19a-F12-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2864

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

合成電界効果によるフィン型トンネルFETの性能向上

*森田行則, 森貴洋, 右田真司, 水林亘, 田邊顕人, 福田浩一, 遠藤和彦, 松川貴, 大内真一, 柳永勛, 昌原明植, 太田裕之

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キーワード: 19a-F12-11, 半導体A（シリコン）, デバイス/集積化技術, トンネルFET, TFET, FinFET

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