歪InSb HEMTにおける高ns高Gm構造の理論的検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-PG3-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3000

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

歪InSb HEMTにおける高ns高Gm構造の理論的検討

*西尾結, 佐藤万里衣, 佐藤宇人, 平山尚美, 飯田努, 高梨良文

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キーワード: 18p-PG3-2, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 電子デバイス・プロセス技術, InSb, HEMT, 二次元電子ガス

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