InAs系PHEMTにおける電子・正孔系の量子状態の理論解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-PG3-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3001

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

InAs系PHEMTにおける電子・正孔系の量子状態の理論解析

*佐藤万里衣, 西尾結, 市川有保, 平山尚美, 飯田努, 高梨良文

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キーワード: 18p-PG3-3, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 電子デバイス・プロセス技術, HEMT, InAs, 二次元正孔ガス

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