応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第61回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 18p-PG3-4
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

再成長ソース/ドレインを有するInGaAsチャネルトライゲートMOSFET
*三嶋 裕一, 金澤 徹, 木下 治紀, 上原 英治, 宮本 恭幸
著者情報
キーワード: 18p-PG3-4, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 電子デバイス・プロセス技術, MOSFET, InGaAs, マルチゲートデバイス
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