シリコン基板上直接成長メタモルフィックGaAs/InGaAsバッファのその場反射率測定

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-PG6-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3275

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

シリコン基板上直接成長メタモルフィックGaAs/InGaAsバッファのその場反射率測定

*荒井昌和, 中尾亮, 伊賀龍三, 神徳正樹

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キーワード: 18p-PG6-10, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, メタモルフィック, シリコン

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