逆格子マッピング法を用いたInGaAs/GaAs薄膜における成長初期の転位形成過程のIn組成依存性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-PG6-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3276

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

逆格子マッピング法を用いたInGaAs/GaAs薄膜における成長初期の転位形成過程のIn組成依存性評価

*高比良潤, 邢林, 鈴木秀俊, 前田幸治, 碇哲雄

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キーワード: 18p-PG6-11, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, 分子線エピタキシー

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