横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18a-F6-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3401

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価

*冨永幸平, 松江将博, 細井卓治, 志村孝功, 渡部平司

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キーワード: 18a-F6-12, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, GeSn, LLPE, PL

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