Si基板上アモルファスGe/Cのアニール処理によるGeドットの形成に関する検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-F6-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3402

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

Si基板上アモルファスGe/Cのアニール処理によるGeドットの形成に関する検討

*畠山真慈, 伊藤友樹, 奥野颯, 川島知之, 鷲尾勝由

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キーワード: 18p-F6-1, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, Ge, 量子ドット, QD

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