La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/HfO<sub>2</sub>/SiO<sub>2</sub>積層絶縁膜Si-MOSキャパシタのフラットバンド電圧の測定

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-A17-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2654

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

La₂O₃/HfO₂/SiO₂積層絶縁膜Si-MOSキャパシタのフラットバンド電圧の測定

*福井僚, 中村嘉基, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 若林整, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

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キーワード: 19a-A17-4, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, high-k膜

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