X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 17p-C5-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3180

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価

*内山星郎, 竹内正太郎, 荒内琢士, 橋本健宏, 中村芳明, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行, 酒井朗

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キーワード: 17p-C5-3, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, GaN, XRD, 半極性

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