MOCVD法によるGe基板上でのGe<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub>エピタキシャル成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19p-A16-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3303

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長

*須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 大下祥雄, 小椋厚志

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キーワード: 19p-A16-7, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, GeSn, MOCVD, Epitaxial growth

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