選択的Si酸化を用いたc-Si/a-Siヘテロ接合界面における漏れ電流抑制技術の開発

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 17a-PB4-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3453

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

選択的Si酸化を用いたc-Si/a-Siヘテロ接合界面における漏れ電流抑制技術の開発

*三和寛之, 西田哲, 牟田浩司, 野々村修一, 栗林志頭眞

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キーワード: 17a-PB4-12, 非晶質・微結晶, シリコン系太陽電池, ヘテロ接合, 酸化, 結晶シリコン

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