触媒反応生成高エネルギーH<sub>2</sub>Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO薄膜の転位分布

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 17p-PA5-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3990

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO薄膜の転位分布

*中村友紀, 石塚侑己, 山口直也, 玉山泰宏, 安井寛治

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キーワード: 17p-PA5-6, 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス, ZnO, 触媒反応, 転位分布

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