移動度200 cm<sup>2</sup>V<sup>-1</sup>s<sup>-1</sup>を超える非晶質ZnO<sub><i>x</i></sub>N<sub><i>y</i></sub>薄膜の合成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18a-A12-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_4013

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

移動度200 cm²V^-1s^-1を超える非晶質ZnO_xN_y薄膜の合成

*山崎崇範, 廣瀬靖, 中尾祥一郎, 原山勲, 関場大一郎, 長谷川哲也

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キーワード: 18a-A12-7, 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス, 移動度, 非晶質, 半導体

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