FinFETにおける特性ばらつきと低周波ノイズの抑制技術

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 11p-B5-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_200

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

FinFETにおける特性ばらつきと低周波ノイズの抑制技術

*松川貴, 福田浩一, 柳永勛, 塚田順一, 山内洋美, 遠藤和彦, 大内真一, 右田真司, 水林亘, 森田行則, 太田裕之, 昌原明植

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キーワード: 11p-B5-5, シンポジウム, 最先端CMOS技術とその将来展望, FinFET, 特性ばらつき, 低周波ノイズ

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