酸化剤を変えたALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜のMOSキャパシタの特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 12a-P12-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2793

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

酸化剤を変えたALD-Al₂O₃膜のMOSキャパシタの特性評価

*福井僚, 中村嘉基, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

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キーワード: 12a-P12-4, 半導体, 絶縁膜技術, high-k膜, 高誘電体, 原子層堆積法, 酸化アルミニウム

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