Radical-Enhanced ALD法によるGe基板上Alジャーマネイトの形成機構に関する検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 12a-P12-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2796

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

Radical-Enhanced ALD法によるGe基板上Alジャーマネイトの形成機構に関する検討

横平知也, *梁池昂生, 柳炳學, 山本千綾, 山中淳二, 佐藤哲也, 岡本浩, 福田幸夫

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キーワード: 12a-P12-7, 半導体, 絶縁膜技術, ゲート絶縁膜, RE-ALD, Al ジャーマネイト

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