分子動力学法によるhigh-k/SiO<sub>2</sub>界面のダイポール形成シミュレーション（２）－酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO<sub>2</sub>界面ダイポールの再現－

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13a-A24-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2805

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

分子動力学法によるhigh-k/SiO₂界面のダイポール形成シミュレーション（２）－酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO₂界面ダイポールの再現－

*功刀遼太, 橋口誠広, 志村昴亮, 小椋厚志, 佐藤真一, 渡邉孝信

著者情報

キーワード: 13a-A24-9, 半導体, 絶縁膜技術, high-k膜, high-k膜

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2015 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top