CF<sub>4</sub>プラズマ処理したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13p-P17-15

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3062

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

CF₄プラズマ処理したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的評価

*中野由崇, 川上烈生, 新部正人, 高木健司, 白濱達夫, 向井孝志

著者情報

キーワード: 13p-P17-15, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, AlGaN/GaNヘテロ構造, CF4プラズマ, 欠陥準位

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2015 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top