表面窒化により成長したGaAsN混晶の発光特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13p-D4-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3264

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

表面窒化により成長したGaAsN混晶の発光特性

*浦上法之, 山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

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キーワード: 13p-D4-2, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, N添加混晶, 希薄窒化物半導体

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