ハライド気相成長法によるβ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上ホモエピタキシャル成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13p-D1-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3862

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

ハライド気相成長法によるβ-Ga₂O₃基板上ホモエピタキシャル成長

*野村一城, 後藤健, 佐々木公平, 河原克明, ティユクァントゥ, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 東脇正高, 倉又朗人, 山腰茂伸, Bo Monemar, 纐纈明伯

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キーワード: 13p-D1-6, 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス, 薄膜成長, 半導体, 酸化ガリウム, ハライド気相成長法

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