Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 13p-2H-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1263

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性

*渡辺健太郎, 前田佳輝, 中本悠太, 松井秀紀, 竹内正太郎, 酒井朗, 中村芳明

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キーワード: 13p-2H-6, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 抵抗変化メモリ, 酸化鉄, ナノドット, 抵抗スイッチング

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