AlONゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MOS-HEMTの電気特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15p-4C-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2842

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

AlONゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MOS-HEMTの電気特性評価

*淺原亮平, 伊藤丈予, 野崎幹人, 山田高寛, 中澤敏志, 石田昌宏, 上田哲三, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

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キーワード: 15p-4C-1, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, パワーデバイス, GaN

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