応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
The 76th JSAP Autumn Meeting 2015
セッションID: 15p-4C-3
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High Breakdown Voltage AlGaN/GaN HEMTs on Free-Standing GaN Substrate
*NG JIEHONGJoel T. AsubarTokuda HirokuniKuzuhara Masaaki
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© 2015 The Japan Society of Applied Physics
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