RF-MBE法によるEu添加GaN成長におけるEu取り込みに関する検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15a-1D-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3145

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

RF-MBE法によるEu添加GaN成長におけるEu取り込みに関する検討

*田原浩行, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩

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キーワード: 15a-1D-5, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MBE, スパッタリング）, 希土類添加半導体, Eu

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