4H-SiC(000-1) の界面近傍酸化剤濃度と電気的特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-PB6-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3217

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

4H-SiC(000-1) の界面近傍酸化剤濃度と電気的特性

*花里耕平, 蓮沼隆, 山部紀久夫

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キーワード: 14p-PB6-8, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 絶縁膜／MOS構造, SiCパワーデバイス

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