Si蒸気圧エッチング法による4H-SiC表面の加工変質層除去とその効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15a-1A-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3229

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

Si蒸気圧エッチング法による4H-SiC表面の加工変質層除去とその効果

*鳥見聡, 矢吹紀人, 篠原正人, 寺元陽次, 野上暁, 金子忠昭

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キーワード: 15a-1A-9, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, プロセス, SiC, Si蒸気圧エッチング, 加工変質層

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